多数载流子和少数载流子是根据其在半导体中的数量比例来区分的。在N型半导体中，自由电子是多数载流子，而空穴则是少数载流子。这是因为N型半导体是通过在纯净的本征半导体中掺入第五价的杂质元素（如砷）制成的，这些杂质元素的原子在取代晶格的硅原子时会释放出多余的电子，这些电子会成为自由电子并在半导体中自由移动。相反，在P型半导体中，空穴是多数载流子，因为它们是由掺杂进去的第四价杂质元素（如硼）产生的多余空穴。
多数载流子的特点包括：
主要成分是自由电子，它们可以在半导体内部自由移动。
受掺杂浓度的影响较大，因此多数载流子的浓度主要由掺杂浓度决定。
在室温下，多数载流子的浓度基本保持稳定，不受温度变化的影响。
由于多数载流子不能在半导体内部积累形成浓度梯度，因此在半导体内部难以积累起来。
少数载流子的特点包括：
主要成分是空穴，它们会在一定条件下与自由电子结合成可导电的粒子对。
主要受本征激发的影响，因此少数载流子的浓度主要由本征激发决定，并随着温度的升高而快速增加。
少数载流子能在局部区域积累或减少，形成浓度梯度。
总结来说，多数载流子是指在半导体中占主导地位的载流子，它们的主要作用是导电，而少数载流子则是在特定条件下的辅助导电成分，它们的浓度随温度的变化较为显著。
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多数载流子和少数载流子的区别主要体现在半导体中的数量、主导性以及激发和移动所需的能量这三个方面。
首先，从数量上来看，多数载流子的数量远超过少数载流子。在N型半导体中，多数载流子是电子，其浓度远远大于正离子（杂质）的浓度；而在P型半导体中，多数载流子是空穴，其浓度远大于负离子（杂质）的浓度。相反，少数载流子的浓度则远远小于多数载流子的浓度。
其次，在导电性方面，多数载流子在半导体中起主要的导电作用，它们主导了电荷的流动，对电流的贡献最大。而少数载流子虽然数量较少，但在某些情况下，例如在外部电场的作用下，也可以对电流产生一定的贡献。
最后，从激发和移动所需的能量来看，多数载流子在电子能带中能级较浅，因此易于激发和移动。而少数载流子则能级较深，需要较高的能量才能被激发和移动。
综上所述，多数载流子和少数载流子在半导体中的数量、导电性以及激发和移动所需的能量等方面存在明显的区别，这些区别使得它们在半导体器件的工作和性能中发挥着不同的作用。